| 发明名称 |
以自由基固化辅助之多孔碳掺杂氧化物薄膜的以自由基为基础之电浆增强ＣＶＤ |
| 摘要 |
揭露之实施例大体上包括用于形成多孔低k介电膜之方法。一个实施例中，揭露一种于处理腔室中使用PECVD及原位自由基固化而于基板上形成多孔低k介电膜之方法。该方法包括下述步骤：将自由基引入该处理腔室之处理区域中，将气体混合物引入该处理腔室之该处理区域中，于该处理区域中形成电浆，以及于基板上沉积该多孔低k介电膜。
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| 申请公布号 |
TW201610218 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104123236 |
申请日期 |
2015.07.17 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
陈一宏;陈劲文;西蒙斯马丁杰;穆克吉萧纳克;马里克爱柏亥吉巴苏;周建华;任姜燮 |
| 分类号 |
C23C16/455(2006.01);C23C16/505(2006.01);C23C16/30(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
一种用于形成多孔低k介电膜之方法，包括下述步骤：将自由基引入一处理腔室之一处理区域中；将一流体混合物引入该处理腔室之该处理区域中；于该处理区域中形成一电浆；以及于该处理腔室中所配置的一基板上沉积及固化一多孔低k介电膜。
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| 地址 |
美国 |
