发明名称 一种PEDOT:PSS包覆纳米MnO<sub>2</sub>的石墨烯纳米墙电极制作方法
摘要 本发明公开了一种PEDOT:PSS包覆纳米MnO<sub>2</sub>颗粒的石墨烯纳米墙电极制作方法,包括如下步骤:1)制备石墨烯纳米墙;2)对石墨烯纳米墙表面进行改性;3)石墨烯纳米墙上沉积PEDOT:PSS/MnO<sub>2</sub>薄膜;4)将载有PEDOT:PSS/MnO<sub>2</sub>薄膜的石墨烯墙/基底置于氮气环境中于100-400℃热处理。采用本发明的方法制备的超级电容器电极通过PEDOT:PSS导电聚合物增强了石墨烯墙的导电性并作为保护层减少了电解液对MnO<sub>2</sub>的腐蚀,通过石墨烯纳米墙和PEDOT:PSS包覆MnO<sub>2</sub>纳米颗粒实现同时具有双电层和赝电容特性的电极,和传统石墨烯墙相比提升数十倍,且工艺过程简单,成本低廉,可大规模生产。
申请公布号 CN105405682A 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201510995913.6 申请日期 2015.12.24
申请人 广州墨储新材料科技有限公司 发明人 郝奕舟;陈剑豪;王天戌
分类号 H01G11/36(2013.01)I;H01G11/46(2013.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01G11/86(2013.01)I 主分类号 H01G11/36(2013.01)I
代理机构 北京文苑专利代理有限公司 11516 代理人 王炜
主权项 一种PEDOT:PSS包覆纳米MnO<sub>2</sub>的石墨烯纳米墙电极制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:石墨烯纳米墙的制备:以含碳的气体的等离子体作为前驱体,同时辅以氩气和氢气将基底在PECVD反应炉中加热至650‑1000℃;通过PECVD法在基底上生长石墨烯纳米墙,生长时间控制为5‑240分钟,得到高度为0.5‑5微米的石墨烯纳米墙,每层石墨烯纳米墙的厚度为1‑10nm。步骤2:石墨烯纳米墙表面改性:以等离子体在5‑100W功率下对石墨烯纳米墙轰击30‑300s,前驱体气流为10‑100sccm,气压为10‑100MPa。步骤3:以氯化锰作为前驱体,溶于水或乙醇中;将1‑10质量份的氯化锰加于溶液中,在50℃下充分搅拌,得到0.1‑1mol/L的氯化锰水溶液。步骤4:在步骤3得到的氯化锰溶液中加入1‑10质量份的冰醋酸,柠檬酸或酒石酸作为螯合剂,滴加浓盐酸调节pH至3。步骤5:然后添加2‑10质量份的氢氧化钾直至溶液由无色变为黄褐色,在50℃下充分搅拌后24h得到黑色二氧化锰溶胶。步骤6:在步骤5中得到的二氧化锰溶胶中添加1‑10质量份的PEDOT:PSS作为溶胶稳定剂,充分搅拌后得到PEDOT:PSS/MnO<sub>2</sub>纳米颗粒溶胶。步骤7:将步骤2得到的改性后的石墨烯纳米墙/基底作为负极,以铂片作为正极,采用步骤6得到的PEDOT:PSS/MnO<sub>2</sub>纳米颗粒溶胶作为电解液进行电泳,电压设置为20‑100V,电流设置为5‑100mA,电泳30‑300s后,PEDOT:PSS/MnO<sub>2</sub>薄膜吸附于石墨烯纳米墙上。步骤8:将步骤7得到的吸附PEDOT:PSS/MnO<sub>2</sub>薄膜的石墨烯纳米墙/基底置于保护气体环境中于100‑400℃热处理30‑120分钟,即可得到PEDOT:PSS包覆纳米MnO<sub>2</sub>的石墨烯纳米墙电极。
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