| 发明名称 | 导电插塞的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种导电插塞的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面露出第一金属层；在所述第一金属层表面形成包含共聚物层的膜层；在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层表面与所述共聚物层表面齐平；进行退火处理，在所述共聚物层内形成至少一个通孔，所述通孔贯穿所述共聚物层的厚度；在所述通孔内填充满导电层，所述导电层与所述共聚物层相平，形成导电插塞。采用本发明的方法形成的导电插塞应用到半导体器件中，可以减小半导体器件的功耗。 | ||
| 申请公布号 | CN105405804A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201410392081.4 | 申请日期 | 2014.08.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张城龙;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华;吴敏 |
| 主权项 | 一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面露出第一金属层；在所述第一金属层表面形成包含共聚物层的膜层；在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层表面与所述共聚物层表面齐平；进行退火处理，在所述共聚物层内形成至少一个通孔，所述通孔贯穿所述共聚物层的厚度；在所述通孔内填充满导电层，所述导电层与所述共聚物层相平，形成导电插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||