发明名称 |
一种金属栅极及MOS晶体管的形成方法 |
摘要 |
一种金属栅极及MOS晶体管形成方法,包括以下步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极,所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底上具有氧化硅层;在所述半导体衬底上形成氮化硅层,所述氮化硅层覆盖氧化硅层及多晶硅栅极;在氮化硅层上形成层间介质层;研磨所述层间介质层至露出氮化硅层;去除预定厚度的氮化硅层;研磨所述氮化硅层至露出多晶硅栅极,使氮化硅层与多晶硅栅极和层间介质层齐平;去除多晶硅栅极及牺牲氧化层,形成沟槽;向沟槽内填充满金属层,形成金属栅极。本发明的形成方法,可以防止金属层研磨时发生金属残留或金属桥的问题,提高半导体器件的稳定性和可靠性。 |
申请公布号 |
CN102683189B |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201110054478.9 |
申请日期 |
2011.03.07 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
王庆玲;陈枫 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种金属栅极的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上依次形成有牺牲氧化层和多晶硅栅极,所述牺牲氧化层和所述多晶硅栅极两侧具有氧化硅层;在所述半导体衬底上形成氮化硅层,所述氮化硅层覆盖氧化硅层及多晶硅栅极;在氮化硅层上形成层间介质层;研磨所述层间介质层至露出氮化硅层;去除多晶硅栅极顶部部分厚度的氮化硅层;研磨所述氮化硅层和层间介质层至露出多晶硅栅极,使氮化硅层与多晶硅栅极和层间介质层齐平;去除多晶硅栅极及牺牲氧化层至露出半导体衬底,形成沟槽;向沟槽内填充满金属层,形成金属栅极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |