藉由层转移之在反向极性基板上的高电子迁移率电晶体制程

摘要

方法，包括在牺牲基板上的极性复合半导体层上形成屏障层，将该牺牲基板耦接到载体基板，用以形成复合结构，其中该屏障层系设置在该极性复合半导体层与该载体基板之间，将该牺牲基板从该复合结构分离，用以暴露该极性复合半导体层，以及形成至少一个电路装置。一种设备，包括：屏障层，其在基板上；电晶体装置，其在该屏障层上；极性复合半导体层，其设置在该屏障层和该电晶体装置之间，该极性复合半导体层包括二维电子气体于其中。

主权项

一种方法，包括：在牺牲基板上的极性复合半导体层上形成屏障层；将该牺牲基板耦接到载体基板，用以形成复合结构，其中该屏障层系设置在该极性复合半导体层与该载体基板之间；将该牺牲基板从该复合结构分离，用以暴露该极性复合半导体层；以及形成至少一个电路装置。