| 发明名称 |
自具有铜、金属硬遮罩及低Ｋ介电材料之基板移除光阻、蚀刻残留物及氧化铜之方法及组合物 |
| 摘要 |
明系关于自包含铜、低k介电材料及TiN、TiNxOy或W之基板移除光阻、聚合材料、蚀刻残留物及氧化铜之半导体处理组合物及方法，其中该组合物包括水、Cu腐蚀抑制剂、至少一种选自Cl-或Br-之卤阴离子，及(若该金属硬遮罩包含TiN或TiNxOy)至少一种氢氧化物来源。
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| 申请公布号 |
TWI525701 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
| 申请号 |
TW101129599 |
申请日期 |
2012.08.15 |
| 申请人 |
义凯西技术公司 |
发明人 |
崔华 |
| 分类号 |
H01L21/311(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种用于自包括铜、低k介电材料及选自TiN或TiNxOy之硬遮罩之基板移除光阻、聚合材料、蚀刻残留物及氧化铜之半导体处理组合物，该组合物包含水、至少一种选自Cl-或Br-之卤阴离子、至少一种氧化剂、至少一种Cu腐蚀抑制剂及至少一种氢氧化物来源。
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| 地址 |
美国 |
