非挥发性半导体记忆装置

摘要

明系加工难度较低且谋求动作控制性之提高。

主权项

一种非挥发性半导体记忆装置，其包括：第1记忆体串，其包含串列连接之复数个第1记忆胞电晶体、及第1选择电晶体；第2记忆体串，其包含串列连接之复数个第2记忆胞电晶体、及第2选择电晶体；位元线，其电性连接于上述第1记忆体串之一端及上述第2记忆体串之一端；第1电晶体，其闸极系电性连接于上述第1记忆体串之另一端；源极线，其电性连接于上述第1电晶体之一端；以及第2电晶体，其闸极系电性连接于上述第2记忆体串之另一端，且其一端电性连接于上述第1电晶体之另一端，另一端电性连接于上述位元线。