| 发明名称 |
多晶矽膜之形成方法 |
| 摘要 |
明提供一种用于形成一矽膜之方法，且更特定而言，一种用于形成一多晶矽膜之方法，其包括在用于形成一矽膜之制程中之前处理制程。根据本发明之一具体实施例，一种藉由将在一基底上沈积之非晶性矽膜退火而形成一多晶矽膜的方法，该方法包括允许包括N、C、O及B中之至少一者之一前处理气体流动的一前处理制程。
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| 申请公布号 |
TWI525209 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
| 申请号 |
TW104103692 |
申请日期 |
2015.02.04 |
| 申请人 |
尤金科技有限公司 |
发明人 |
申承佑;郑愚德;赵星吉;崔豪珉;吴完锡;李郡禹;李康旭;权赫龙;朴成眞;金基镐 |
| 分类号 |
C23C16/24(2006.01);C23C16/455(2006.01);C23C16/56(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/24(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈传岳;郭雨岚 |
| 主权项 |
一种藉由使在一基底上沈积之非晶矽膜退火而形成一多晶矽膜之方法，该方法包含藉由供应包括氮(N)、碳(C)、氧(O)、及硼(B)中至少一者之一前处理气体以在退火前热裂解该前处理气体，将N、C、O、及B之任一者键结至包括在该非晶矽膜中之一矽原子上之一前处理制程。
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| 地址 |
南韩 |
