半导体发光装置

摘要

明系一种半导体发光装置，如根据实施形态，半导体层系具有发光层，和第1的面，和设置于第1的面之相反侧，具有包含发光层之范围与未包含发光层之范围的第2的面。p侧电极系设置于在第2的面之包含发光层之范围。n侧电极系设置于在第2的面之未包含发光层之范围。p侧配线部系设置于p侧电极上，而与p侧电极加以电性连接。n侧电极系设置于n侧电极上及p侧电极上，而与n侧电极加以电性连接。变阻膜系在p侧电极与n侧配线部之间，接触设置于p侧电极及n侧配线部所设置。

主权项

一种半导体发光装置，其特征为具有发光层，和第1的面，和设置于前述第1的面之相反侧，具有包含前述发光层之范围，与未包含前述发光层之范围的第2的面之半导体层，和设置于在前述第2的面之包含前述发光层之范围的p侧电极，和设置于在前述第2的面之未包含前述发光层之范围的n侧电极，和设置于前述第1之电极上，而与前述第2之电极加以电性连接之第1之配线部，和设置于前述第2之电极上及前述第1之电极上，而与前述第2之电极加以电性连接之第2之配线部，在前述第1之电极与前述第2之配线部之间，接触设置于前述第1之电极及前述第2之配线部之变阻膜；前述第2之配线部，系于前述第1之电极上，隔着前述变阻膜，相互对向而设置者。