最佳化之环型铜直通基板穿孔

摘要

明提供一热机械可靠铜直通基板穿孔(TSV)以及在BEOL制程过程中形成此TSV的技术。TSV构成一环型沟渠，其延伸通过半导体基板。基板定义沟渠的内及外侧壁，其中侧壁由在5至10微米之范围内的一距离所分隔。包含铜或一铜合金的传导路径于沟渠内从第一介电层之一上表面延伸通过基板。基板厚度可为60微米或更少。具有传导地连接至传导路径之互连金属化的介电层系直接地形成于环型沟渠之上。

主权项

一种积体电路结构，包含：一基板，具有至少一半导体装置形成于其一顶表面中，且一第一介电层设置于该顶表面之上；一环型沟渠，通过该第一介电层且延伸通过该基板，其中该基板构成该沟渠的内及外侧壁，该内及外侧壁由在5至10微米之范围内的一距离所分隔；一传导路径，于该沟渠内且从该第一介电层之一上表面延伸通过该基板，该路径包含铜或一铜合金；以及一第二介电层，包含互连金属化，该互连金属化系传导地连接至该传导路径，该第二介电层直接地形成于该第一介电层上且上覆该环型沟渠。