| 摘要 |
Die Schrift behandelt eine Temperaturmessvorrichtung (TS) innerhalb einer integrierten Schaltung zur Verwendung in einem MOS-Transistor (TR) der integrierten Schaltung oder ein einem thermischen Wirkzusammenhang mit diesem MOS-Transistor (TR) zur Erfassung der Temperatur eines oder mehrerer MOS-Transistoren (TR) im Betrieb derselben. Die Temperaturmessvorrichtung (TS) ist eine Poly-Silizium-PN-Diode oder eine Poly-Silizium-PIN-Diode oder ein Poly-Silizium-PNP-Transistor oder ein Poly-Silizium-NPN-Transistor. Die Temperaturmessvorrichtung (TS) ist gegenüber den elektrischen Komponenten (TR1, TR2, TR3, S, G) des MOS-Transistors (TR), die im Substratmaterial (Sub) – insbesondere im Wafer-Material –, aus dem der MOS-Transistor (TR) gefertigt ist, selbst oder darüber ausgebildet sind, elektrisch isoliert. Dies betrifft naturgemäß nicht die Verdrahtung zur Nutzbarmachung dieser Temperaturmessvorrichtung (TS) innerhalb einer Verschaltung. Gleichzeitig ist die Temperaturmessvorrichtung (TS) mit diesem MOS-Transistor (TR) oder Teilen (TR1, TR2, TR3, S, G) dieses MOS-Transistors (TR) thermisch leitend verbunden. |
