| 发明名称 | 金属无PVD传导结构 | ||
| 摘要 | 本文公开了结构及其形成方法。在一个实施例中，结构包括区域(102)，其具有相对的第一和第二表面(104,106)。势垒区域(110)覆盖该区域。合金区域(112)覆盖势垒区域。合金区域包括第一金属以及选自由硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)组成的组中的一种或多个元素。 | ||
| 申请公布号 | CN105393345A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201480039640.1 | 申请日期 | 2014.05.20 |
| 申请人 | 伊文萨思公司 | 发明人 | C·沃伊奇克;C·E·尤佐;M·纽曼;T·卡斯基;P·莫纳德吉米 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;张昊 |
| 主权项 | 一种结构，包括：区域，具有相面对的第一表面和第二表面；势垒区域，覆盖所述区域；合金区域，覆盖所述势垒区域，所述合金区域包括第一金属以及选自由硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)组成的组中的一种或多种元素。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||