晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法。对在正面上通过多条分割预定线划分多个器件而形成的由硅构成的晶片进行加工，具有如下步骤：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；改质层形成步骤，在实施波长设定步骤之后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射脉冲激光束而在晶片的内部形成改质层；分割步骤，在实施改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以改质层为分割起点沿着分割预定线分割晶片，在改质层形成步骤中，避开与分割预定线相邻形成的器件的脆弱部分来定位脉冲激光束的聚光点，该脆弱部分因发生散射而照射的脉冲激光束而受到损伤。

主权项

一种晶片的加工方法，通过激光加工装置对由硅构成的晶片进行加工，所述晶片是在正面上通过多条分割预定线划分多个器件而形成的，所述激光加工装置具有：保持机构，其保持被加工物；激光束照射机构，其照射对于由该保持机构保持的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改质层；以及加工进给机构，其对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给，该晶片的加工方法的特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；改质层形成步骤，在实施该波长设定步骤之后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与该分割预定线对应的区域照射脉冲激光束并且对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给而在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以该改质层为分割起点沿着该分割预定线分割晶片，在该改质层形成步骤中，避开与该分割预定线相邻形成的器件的脆弱部分来定位脉冲激光束的聚光点，其中所述脆弱部分因发生散射而照射的脉冲激光束而受到损伤。