发明名称 发光器件封装
摘要 本发明涉及一种发光器件封装。实施例提供一种发光器件封装,包括:第一引线框架,该第一引线框架包括第一接触区和第一暴露区;第二引线框架,该第二引线框架与第一引线框架隔开,第二引线框架包括第二接触区和第二暴露区;底部,该底部位于在第一接触区和第一暴露区之间、在第二接触区和第二暴露区之间、以及在第一接触区和第二接触区之间;发光器件,该发光器件电连接到第一和第二接触区;以及封装主体,该封装主体具有配置为暴露第一和第二接触区、第一和第二暴露区和底部的空腔,其中底部具有比第一和第二引线框架的热膨胀系数大的热膨胀系数。
申请公布号 CN105390586A 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201510522688.4 申请日期 2015.08.24
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 吴成株;文咭斗;朴奎炯
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 达小丽;夏凯
主权项 一种发光器件封装,包括:第一引线框架,所述第一引线框架包括第一接触区和第一暴露区;第二引线框架,所述第二引线框架与所述第一引线框架隔开,所述第二引线框架包括第二接触区和第二暴露区;底部,所述底部位于在所述第一接触区和所述第一暴露区之间、在所述第二接触区和所述第二暴露区之间、以及在所述第一接触区和所述第二接触区之间;发光器件,所述发光器件电连接到所述第一和第二接触区;以及封装主体,所述封装主体具有配置为暴露所述第一和第二接触区、所述第一和第二暴露区和所述底部的空腔,其中,所述底部具有比所述第一和第二引线框架的热膨胀系数大的热膨胀系数。
地址 韩国首尔