| 摘要 |
【課題】複数の半導体スイッチング素子が搭載されるフレームの平面サイズの増大を抑制し、且つ、良好な電気的特性を得ることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】第１及び第２のフレーム主面を有するフレームと、第１及び第２の基板主面を有し、第２の基板主面が第１のフレーム主面と対向するようにフレームと離間して配置された支持基板と、第１及び第２の半導体スイッチング素子が積層された構造をそれぞれ有し、第１の半導体スイッチング素子の側が第１のフレーム主面に対向し第２の半導体スイッチング素子の側が第２の基板主面と対向するように、第１のフレーム主面の異なるコーナー部にそれぞれ搭載された複数の半導体素子ユニットと、第１の基板主面に搭載された、第１の半導体スイッチング素子及び第２の半導体スイッチング素子の動作を制御する制御素子とを備える。【選択図】図１ |
