| 发明名称 |
MTJ SPIN HALL MRAM BIT-CELL AND ARRAY |
| 摘要 |
장치 1T-1 자기 터널 정션(MTJ) 스핀 홀 자기 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 비트-셀과 어레이, 및 그것을 형성하는 방법이 기술된다. 장치는: 선택 라인; 스핀 홀 효과(SHE) 물질을 가진 상호접속부 - 상호접속부는 기입 비트 라인에 결합됨 -; 선택 라인 및 상호접속부에 결합된 트랜지스터 - 트랜지스터는 워드 라인에 의해 제어 가능함 -; 및 상호접속부에 결합된 자유 자기층을 가진 MTJ 디바이스를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160022809(A) |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
| 申请号 |
KR20157030260 |
申请日期 |
2013.06.21 |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
MANIPATRUNI SASIKANTH;NIKONOV DMITRI E.;YOUNG IAN A. |
| 分类号 |
G11C11/16;G11C11/18;H01L27/22 |
主分类号 |
G11C11/16 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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