一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底从下至上依次包括基底层、掩埋隔离层、掩埋地层、超薄绝缘埋层、表面有源层；对所述掩埋地层进行离子注入掺杂；在所述衬底上形成栅极堆叠、侧墙和源/漏区；在所述衬底上形成覆盖所述栅极堆叠和源/漏区的掩膜层，刻蚀所述掩膜层以暴露出所述源区；刻蚀所述源区以及源区之下的超薄绝缘埋层，形成暴露出所述掩埋地层的开口；通过外延填充所述开口，以形成所述掩埋地层的接触塞。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明通过形成掩埋地层接触塞，将掩埋地层与源区电学连接，增强了半导体器件对阈值电压的控制能力，减小了短沟道效应，提高了器件性能，同时不必对掩埋地层做单独引出，节省了器件面积，简化了工艺。

主权项

一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：(a)提供衬底，所述衬底从下至上依次包括基底层、掩埋隔离层、掩埋地层、超薄绝缘埋层、表面有源层；其中，所述超薄绝缘埋层的厚度范围为5nm～50nm；(b)对所述掩埋地层进行离子注入掺杂；(c)在所述衬底上形成栅极堆叠、侧墙和源/漏区；(d)在所述衬底上形成覆盖所述栅极堆叠和源/漏区的掩膜层，刻蚀所述掩膜层以暴露出所述源区；(e)刻蚀所述源区以及源区之下的绝缘埋层，形成暴露出所述掩埋地层的开口；(f)通过外延填充所述开口，以形成所述掩埋地层的接触塞。