发明名称 |
具有翼结构的晶体管 |
摘要 |
一种半导体器件包括:有源区域,具有沟道区域和至少一个翼区域,该至少一个翼区域与位于栅极介电层下方的沟道区域相邻。至少一个翼区域可以为在沟道区域两侧的两个对称翼区域。 |
申请公布号 |
CN102956706B |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201210251909.5 |
申请日期 |
2012.07.19 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
朱振梁;陈斐筠;陈奕升;萧世匡;蔡俊琳;郑光茗 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种集成电路结构,其中形成有晶体管,所述晶体管包括:半导体衬底,具有通过隔离区域限定的有源区域;栅极介电层,位于所述半导体衬底的所述有源区域的一部分上方;以及栅电极,位于所述栅极介电层上方;其中,位于所述栅极介电层下方的所述有源区域的所述一部分包括沟道区域和与所述沟道区域一起形成的至少一个翼区域,并且所述至少一个翼区域与所述半导体衬底直接接触。 |
地址 |
中国台湾新竹 |