一种降低LED接触电阻的外延生长方法

摘要

本申请公开降低LED接触电阻的外延生长方法，生长掺杂Mg的P型GaN层后包括生长pInGaN/pGaN超晶格层，生长pInGaN/pGaN超晶格层为：通入TMGa、H2、Cp₂Mg，TMIn，生长pInGaN/pGaN超晶格层。pInGaN/pGaN超晶格层能够有效降低pGaN外延层和ITO的接触电阻，并能有效降低驱动电压；加上pInGaN势阱具有空穴限域作用，能有效的提高pInGaN/pGaN超晶格层的空穴浓度，使pInGaN/pGaN超晶格层具有较高的空穴迁移率，有效解决p层阻值以及pGaN外延层和ITO接触电阻偏高、空穴浓度偏低等问题，有利于提升LED产品品质。

主权项

一种降低LED接触电阻的外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、交替生长掺杂In的In_xGa_(1‑x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，所述生长掺杂Mg的P型GaN层后还包括生长pInGaN/pGaN超晶格层，所述生长pInGaN/pGaN超晶格层为：保持反应腔压力300mbar‑600mbar、温度750℃‑850℃，通入20sccm‑40sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的H2、3000sccm‑4000sccm的Cp₂Mg，1000sccm‑2000sccm的TMIn，生长pInGaN/pGaN超晶格层。