| 发明名称 | 一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，本发明实施例提供一种氮化镓器件电极结构的制作方法及氮化镓器件，该方法包括：对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽，并在所述凹槽底部形成氟化铝；对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀；在反应离子刻蚀后的所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属。通过本发明实施例提供的方法，通过在被刻蚀有凹槽的氮化铝镓表面进行反应离子刻蚀，清除氮化铝镓表面残留的氟化铝，使得电极金属和氮化铝镓表面能够直接接触，避免了由于氟化铝覆盖在氮化铝镓表面导致的电极金属接触电阻较大的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105355546A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201410409936.X | 申请日期 | 2014.08.19 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 谢春诚;陈建国;刘蓬 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种氮化镓器件电极结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：对氮化铝镓层表面进行湿法刻蚀，形成凹槽，并在所述凹槽底部形成氟化铝；对所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面的所述氟化铝进行反应离子刻蚀；在反应离子刻蚀后的所述凹槽底部的所述氮化铝镓层表面垫积电极金属。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||