| 发明名称 | 一种沟道替换工艺的监测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种沟道替换工艺的监测方法，包括：提供外延形成替代沟道后的衬底的质量目标值以及其容差范围；提供具有鳍的衬底，去除鳍以形成开口；在开口中外延形成替代沟道；获得形成替代沟道后的衬底的质量；判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。该方法直观、快速并对晶圆没有损伤，适用于量产时对沟道外延工艺的有效监测，以有效控制沟道外延工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN105355576A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201410409029.5 | 申请日期 | 2014.08.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨涛;王桂磊;陈韬;崔虎山;卢一泓;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民;胡湘根 |
| 主权项 | 一种沟道替换工艺的监测方法，其特征在于，包括：提供外延形成替代沟道后的衬底的质量目标值以及其容差范围；提供具有鳍的衬底，去除鳍以形成开口；在开口中外延形成替代沟道；获得形成替代沟道后的衬底的质量；判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||