| 发明名称 |
一种硅原材料的清洗方法 |
| 摘要 |
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅原材料的清洗方法。(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为：硅片清洗剂38-40％、余量为纯水；(2)高压水枪冲洗9-15分钟；(3)超声清洗；超声清洗温度为31-33℃，时间为25-30分钟。本发明采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好，清洗合格率在99％以上。 |
| 申请公布号 |
CN105344641A |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
| 申请号 |
CN201510822086.0 |
申请日期 |
2015.11.24 |
| 申请人 |
王晓伟 |
发明人 |
王晓伟 |
| 分类号 |
B08B3/02(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I |
主分类号 |
B08B3/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种硅原材料的清洗方法，其特征在于包括下述步骤：(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为：硅片清洗剂38‑40％、余量为纯水；(2)高压水枪冲洗9‑15分钟；(3)超声清洗；超声清洗温度为31‑33℃，时间为25‑30分钟。 |
| 地址 |
266000 山东省青岛市市北区山东路138号 |
