接面场效电晶体制造方法

摘要

明提出一种接面场效电晶体制造方法，包含：提供第一导电型基板、形成第二导电型通道区、形成第一导电型场区、形成第一导电型闸极、形成第二导电型源极、形成第二导电型汲极、以及形成第二导电型轻掺杂区。其中，通道区由离子植入制程步骤所形成，且轻掺杂区藉由遮蔽此离子植入制程步骤中，被加速的离子植入一预设区中，并由热制程将预设区周围之第二导电型杂质扩散至该预设区中所形成。

主权项

一种接面场效电晶体制造方法，包含：提供一基板，具有第一导电型，且该基板具有一上表面；形成一通道区于该基板中，该通道区具有与该第一导电型相反之第二导电型；形成一场区于该通道区中，该场区具有第一导电型；形成一闸极于该场区中，该闸极具有第一导电型；形成一源极于该通道区中，该源极具有第二导电型，且不位于该场区中；形成一汲极于之该通道区中，该汲极具有第二导电型，且不位于该场区中，该汲极与该源极分别位于该场区不同侧，且不互相重叠；以及形成一轻掺杂区于该通道区中且介于该闸极与该汲极之间，该轻掺杂区具有第二导电型，且其第二导电型杂质浓度低于该通道区之第二导电型杂质浓度；其中，该通道区由一离子植入制程步骤所形成，且该轻掺杂区藉由遮蔽该离子植入制程步骤中，被加速的离子植入一预设区中，并由一热制程将该预设区周围之第二导电型杂质扩散至该预设区中所形成。