| 发明名称 | 高压金氧半导体电晶体元件及其布局图案 | ||
| 摘要 | 高压金氧半导体电晶体元件之布局图案，该布局图案包含有一具有一第一导电型态之第一掺杂区、一具有该第一导电型态之第二掺杂区、以及一不连续形掺杂区。该不连续形掺杂区系设置于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，且包含复数个间隔。另外该不连续形掺杂区域包含一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。 | ||
| 申请公布号 | TWI523196 | 申请公布日期 | 2016.02.21 |
| 申请号 | TW101106210 | 申请日期 | 2012.02.24 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 李明宗;杨承桦;李文芳;王智充;许智维;庄柏青 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种高压金氧半导体电晶体之布局图案，包含有：一第一掺杂区，具有一第一导电型态；一第二掺杂区，具有该第一导电型态；以及一不连续形(non-continuous)掺杂区，设置于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间且包含复数个间隔(gap)，该不连续形掺杂区域包含一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补(complementary)。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||