半导体装置之制造方法

摘要

明系关于一种结合有热脱离片之半导体背面用膜，其包括：包括基底材料层及压敏性黏着层之压敏性黏着片；及形成于该压敏性黏着片之该压敏性黏着层上的半导体背面用膜，其中该压敏性黏着片为热脱离性压敏性黏着片，其自该半导体背面用膜剥离之力在加热时减小。

主权项

一种半导体装置之制造方法，其包含将利用半导体元件之收集方法所收集的半导体元件以该半导体元件之电路面与黏附体相对且半导体背面用膜被附着于该半导体元件之非电路面之形态，覆晶式连接于该黏附体上，该半导体元件之收集方法包含：将半导体晶圆附着于结合有热脱离片之半导体背面用膜的半导体背面用膜上；切割该半导体晶圆以形成半导体元件；加热该结合有热脱离片之半导体背面用膜；及使该半导体元件连同该半导体背面用膜自该热脱离片之压敏性黏着层脱离，该结合有热脱离片之半导体背面用膜包含：包含基底材料层及压敏性黏着层之压敏性黏着片，及形成于该压敏性黏着片之压敏性黏着层上的半导体背面用膜，其中该压敏性黏着片为热脱离型压敏性黏着片，其自该半导体背面用膜剥离之力在加热时减小。