多晶粒堆叠结构

摘要

多晶粒堆叠结构，包括垂直堆叠的N个(N2)晶粒。每个晶粒包括N个晶粒输入垫，其中在N个输入垫中的特定输入垫是用于该晶粒本身的输入。在底晶粒上方的每个晶粒的特定输入垫透过至少一基底通孔电性连接至底晶粒之特定输入垫以外的不同输入垫，且当其不在与底晶粒相邻的晶粒中时，亦透过底晶粒上方的每个下方晶粒的不同输入垫作前述电性连接。底晶粒的特定输入垫电性连接至上方晶粒的至少一个输入垫，所述至少一个输入垫并非任何上方晶粒的特定输入垫，且未电性连接至任何上方晶粒的特定输入垫。

主权项

一种多晶粒堆叠结构，包括N个(N2)垂直堆叠的晶粒，其中每个晶粒包括N个晶粒输入垫(die-specific input pads)，其中在所述N个输入垫中有一特定输入垫用于所述晶粒本身的输入，在底晶粒上方的每个晶粒的所述特定输入垫透过至少一基底通孔(through-substrate via)电性连接至所述底晶粒之所述特定输入垫以外的不同输入垫，且当不在与所述底晶粒相邻的晶粒中时，亦透过所述底晶粒上方的每个下方晶粒的不同输入垫达成上述电性连接，以及所述底晶粒的所述特定输入垫电性连接至上方晶粒的至少一个输入垫，所述至少一个输入垫并非任何上方晶粒的所述特定输入垫，且未电性连接至任何上方晶粒的所述特定输入垫，其中所述N个晶粒包括由下至上的第一至第N晶粒，其中第一晶粒即为所述底晶粒，在每个晶粒中，所述N个输入垫包括依序排列的第一至第N输入垫，其中第一输入垫即是用于所述晶粒本身的输入的所述特定输入垫，在各第i晶粒(i=2~N)中，第j输入垫(j=1~N-1)电性连接至各第(i-k)晶粒(k=1~i-1)的第(j+k)输入垫，但其中j+kN，所述第一晶粒的所述特定输入垫透过在所述第一晶粒中的基底通孔电性连接至第二晶粒的第N输入垫，
各第m晶粒(m=2~N-1)的所述特定输入垫亦透过在所述第m晶粒中的基底通孔电性连接至第(m+1)晶粒的第N输入垫，第N晶粒的所述特定输入垫亦电性连接至在所述第N晶粒中第N输入垫上方的基底通孔。