发明名称 Dünnschicht-Energiespeichereinrichtung und zugehöriges Herstellungsverfahren
摘要 Eine Dünnschicht-Energiespeichereinrichtung weist auf: einen Positivelektroden-Teil (22) mit einer ersten Metallfolienschicht (2) und einer Positivelektroden-Aktivmaterialschicht (3), die auf einem Teilbereich einer Oberfläche der ersten Metallfolienschicht geschichtet ist, einen Negativelektroden-Teil (23) mit einer zweiten Metallfolienschicht (12) und einer Negativelektroden-Aktivmaterialschicht (13), die auf einem Teilbereich einer Oberfläche der zweiten Metallfolienschicht geschichtet ist, sowie einen Separator (21), der zwischen dem Positivelektroden-Teil und dem Negativelektroden-Teil angeordnet ist. Die Positivelektroden-Aktivmaterialschicht (3) ist zwischen der ersten Metallfolienschicht (2) und dem Separator (21) angeordnet, und die Negativelektroden-Aktivmaterialschicht (13) ist zwischen der zweiten Metallfolienschicht (12) und dem Separator (21) angeordnet. Ein Randbereich der einen Oberfläche der ersten Metallfolienschicht des Positivelektroden-Teils (22), an dem die Positivelektroden-Aktivmaterialschicht (3) nicht ausgebildet ist, und ein Randbereich der einen Oberfläche der zweiten Metallfolienschicht des Negativelektroden-Teils (23), an dem die Negativelektroden-Aktivmaterialschicht (13) nicht ausgebildet ist, sind über eine randseitige Dichtschicht (31) verbunden, welche ein thermoplastisches Harz enthält. Mit dieser Struktur kann eine leichtgewichtige und dünne Dünnschicht-Energiespeichereinrichtung bereitgestellt werden.
申请公布号 DE102015215692(A1) 申请公布日期 2016.02.18
申请号 DE201510215692 申请日期 2015.08.18
申请人 SHOWA DENKO K.K.;SHOWA DENKO PACKAGING CO., LTD. 发明人 MINAMITANI, KOJI;MINAMIBORI, YUJI;NAGATA, KENSUKE;SAITO, SHUNSUKE
分类号 H01M2/02;H01M4/04 主分类号 H01M2/02
代理机构 代理人
主权项
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