发明名称 |
半色调相移光掩模坯料及其制备方法 |
摘要 |
半色调相移光掩模坯料,包含透明基材和由硅、氮和任选的氧组成的半色调相移膜,并提供相对于波长200nm以下的光150°-200°的相移。该相移膜包括至少一个满足下式的层:2×O/Si+3×N/Si≥3.5,其中Si为硅含量(原子%),N为氮含量(原子%),且O为氧含量(原子%)。该相移膜表现出令人满意的透射率的面内均匀性。 |
申请公布号 |
CN105334693A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201510484664.4 |
申请日期 |
2015.08.04 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
高坂卓郎;稻月判臣;金子英雄;樱田丰久 |
分类号 |
G03F1/32(2012.01)I;G03F1/26(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/32(2012.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
杜丽利 |
主权项 |
半色调相移光掩模坯料,包含透明基材和在其上的半色调相移膜,所述半色调相移膜由硅和氮,或者硅、氮和氧组成,并且相对于波长200nm以下的光提供150°‑200°的相移,所述半色调相移膜为满足式(1)的单层或包括至少一个满足式(1)的层的多层膜:2×O/Si+3×N/Si≥3.5 (1)其中Si为硅的含量(原子%),N为氮的含量(原子%),且O为氧的含量(原子%)。 |
地址 |
日本东京 |