| 摘要 |
반도체 메모리 장치는 복수의 제1 선과 복수의 제2 선의 교차부에 설치된 복수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이, 및 기입 회로를 포함한다. 기입 회로는, 기입 동작을 실행할 때, 데이터 기입 대상인 선택 메모리 셀에 접속된 제1 선과 제2 선 양단에 전압을 인가하고, 복수의 메모리 셀 중 데이터 기입 대상이 아닌 비선택 메모리 셀과 접속된 제1 선과 제2 선 양단에 상이한 전압을 인가하는 제1 단계를 실행하고, 제1 단계의 실행 후에, 선택 메모리 셀에 접속된 제1 선과 제2 선 양단에 데이터 기입에 필요한 전압을 인가하고, 비선택 메모리 셀에 접속된 제1 선과 제2 선 중 적어도 하나를 플로팅 상태로 하는 제2 단계를 실행한다. |
