动态随机存取存储器及制造方法、半导体封装件及封装方法

摘要

本发明公开了一种动态随机存取存储器及制造方法、半导体封装件及封装方法。动态随机存取存储器制造方法包括：提供存储器晶圆，存储器晶圆上有存储器裸片，存储器裸片上有顶层金属层，顶层金属层上有电源焊盘、信号焊盘和微焊盘，引出存储器裸片的内部总线与微焊盘电相连；对存储器晶圆进行修复；若存储器晶圆的良品率大于等于预定阈值，对微焊盘进行重新排布，形成对接焊盘，对接焊盘与微焊盘、电源焊盘电相连。半导体封装方法，包括：提供有动态随机存取存储器的第一晶圆；提供有逻辑芯片的第二晶圆；第一晶圆和第二晶圆通过相适应的对接焊盘的电连接实现晶圆级封装。本发明不对DRAM结构做较大改动，而提高DRAM的数据带宽，同时保证较高的良品率。

主权项

一种动态随机存取存储器制造方法，其特征在于，包括：提供存储器晶圆，所述存储器晶圆上形成有存储器裸片，所述存储器裸片上形成有顶层金属层，所述顶层金属层上形成有电源焊盘、信号焊盘和微焊盘，所述微焊盘的面积小于所述电源焊盘、信号焊盘的面积，引出所述存储器裸片的内部总线与所述微焊盘电相连；对所述存储器晶圆进行修复；修复后，若所述存储器晶圆的良品率大于等于预定阈值，则对所述微焊盘进行重新排布，形成对接焊盘，所述对接焊盘的面积大于所述微焊盘的面积，所述对接焊盘与所述微焊盘、所述电源焊盘电相连；其中，所述对所述微焊盘进行重新排布，形成对接焊盘包括：在所述存储器晶圆上形成至少一层金属层；在顶层的金属层上形成对接焊盘，所述对接焊盘的数量和位置与逻辑芯片的对接焊盘的数量和位置相适应；将所述对接焊盘与所述微焊盘、所述电源焊盘电相连，不与所述信号焊盘电连接。