一种消除单晶棒氧施主效应对电阻率影响的热处理工艺

摘要

本发明公开了一种消除单晶棒氧施主效应对电阻率影响的热处理工艺，包括以下几个步骤：1)、将单晶棒编号；2)、将单晶棒擦拭洁净；3)、将单晶棒依次摆放在石英片上；4)、关闭炉门，经过3.5～4h炉内温度升至720℃；5)、在720℃内恒温1～1.5h后停炉；6)打开炉门20％自然冷却至480℃后炉门全部打开急速冷却；7)、急速冷却3小时后取出；8)、电阻率测试。本发明的热处理工艺，通过对单晶棒进行热处理可以使得单晶棒的氧施主回到间隙氧状态，消除氧施主对电阻率测试的影响，从而可以精确测量出单晶棒的真实电阻率，从而可以根据电阻率将单晶棒准确的应用到器件中，从根本上所得到的器件参数将完全偏离原有设定，造成严重的质量异常的问题。

主权项

一种消除单晶棒氧施主效应对电阻率影响的热处理工艺，其特征在于，包括以下几个步骤：1)、将待处理的单晶棒编号，依次排放在托盘上；2)、用沾有酒精的无尘纸将单晶棒擦拭洁净；3)、在退火炉内摆放石英片，并把清理洁净的单晶棒以头部朝上的方式按顺序依次摆放在石英片上，确保顺序无误；4)、关闭炉门，开始加热，经过3.5～4h炉内温度升至720℃；5)、在720℃内恒温1～1.5h后停炉；6)、打开排风机，将退火炉门打开20％，自然冷却至480±10℃，然后将炉门完全打开，进行急速冷却；7)、待急速冷却3小时后,戴好石棉手套将单晶棒取下并按顺序依次放好；8)、待单晶棒冷却至室温后对单晶棒做退火后的电阻率测试。