发明名称 NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法
摘要 一种NandFlash存储器写操作过程掉电防护方法,在NandFlash存储器中定义一个交换块,交换块用来备份原块数据;若在NandFlash存储器写操作过程中出现掉电,则重新上电时,对交换块和原块的每个扇区分别进行ECC校验,从而判断原块数据和交换块数据的有效性。本发明实现了:(1)即使掉电,也能保证原块与交换块一定有一份数据正确,保证了下次上电时可恢复的数据来源;(2)原块与交换块的数据正确性判断通过ECC校验结果来判断;(3)只有在一种状况下需要恢复,即原块数据ECC校验错误,且交换块中数据ECC校验正确,其他情况无须进行恢复。
申请公布号 CN103530242B 申请公布日期 2016.02.17
申请号 CN201210232680.0 申请日期 2012.07.06
申请人 河南思维自动化设备股份有限公司 发明人 许李纳;华正杰;李会同;杨清祥;杨立军
分类号 G06F12/16(2006.01)I 主分类号 G06F12/16(2006.01)I
代理机构 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人 张春;李想
主权项 一种 NandFlash 存储器写操作过程掉电防护方法,其特征在于:在 NandFlash 存储器中定义一个交换块,交换块用来备份原块数据 ;若在 NandFlash 存储器写操作过程中出现掉电,则重新上电时,对交换块和原块的每个扇区分别进行 ECC 校验,从而判断原块数据和交换块数据的有效性 ;若交换块中存在扇区 ECC 校验错误,则表明交换块中没有有效的可供恢复的数据,则直接跳出掉电保护操作,执行在线编程器正常操作 ;若交换块各扇区 ECC 校验正确,则需进一步判断原块数据有效性;若原块各扇区 ECC 校验正确,则直接跳出掉电保护操作,执行在线编程器正常操作;若原块存在扇区ECC校验错误,则将交换块中的数据回写到原块;NandFlash 存储器写操作过程如下 :先将定义的交换块擦除,擦除后,将原块数据备份到交换块中;接着,擦除原块中旧的数据,将交换块中的原首数据回写至原块,再将新的待写入数据写至原块,最后将交换块中的原尾数据回写至原块。
地址 450001 河南省郑州市高新区科学大道97号
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