发明名称 CMP终点探测系统的加权校准方法
摘要 本发明提供CMP终点探测系统的加权校准方法。根据本发明的一种终点探测系统的校准方法,包括:在待校准的机台上执行预定研磨方案,并通过其终点探测系统获得监控特征曲线;初步校准所述监控特征曲线,以获得初步校准参数;以及加权校准一个或多个初步校准参数,以获得一个或多个最终校准参数,所述加权校准内容包括:增加机台差异校准因子F1,其中F1=(基于机台差异的工艺厚度差值)/(基于初步校准参数变化的工艺厚度变化量)。本发明还包括可选地增加研磨材料差异校准因子F2和基于经验或其它因素(如缺陷、不同制程间差异)的附加校准因子F3。
申请公布号 CN105336641A 申请公布日期 2016.02.17
申请号 CN201410280249.2 申请日期 2014.06.20
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 张芳余
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;B24B49/00(2012.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张欣
主权项 一种CMP机台的终点探测系统的校准方法,包括:在待校准的机台上执行预定研磨方案,并通过其终点探测系统获得监控特征曲线;初步校准所述监控特征曲线,以获得初步校准参数;以及加权校准一个或多个初步校准参数,以获得一个或多个最终校准参数,所述加权校准包括:向初步校准参数增加机台差异校准因子F1,其中F1=(基于机台差异的工艺厚度差值)/(基于初步校准参数变化的工艺厚度变化量)。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号