发明名称 |
CMP终点探测系统的加权校准方法 |
摘要 |
本发明提供CMP终点探测系统的加权校准方法。根据本发明的一种终点探测系统的校准方法,包括:在待校准的机台上执行预定研磨方案,并通过其终点探测系统获得监控特征曲线;初步校准所述监控特征曲线,以获得初步校准参数;以及加权校准一个或多个初步校准参数,以获得一个或多个最终校准参数,所述加权校准内容包括:增加机台差异校准因子F1,其中F1=(基于机台差异的工艺厚度差值)/(基于初步校准参数变化的工艺厚度变化量)。本发明还包括可选地增加研磨材料差异校准因子F2和基于经验或其它因素(如缺陷、不同制程间差异)的附加校准因子F3。 |
申请公布号 |
CN105336641A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201410280249.2 |
申请日期 |
2014.06.20 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张芳余 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;B24B49/00(2012.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张欣 |
主权项 |
一种CMP机台的终点探测系统的校准方法,包括:在待校准的机台上执行预定研磨方案,并通过其终点探测系统获得监控特征曲线;初步校准所述监控特征曲线,以获得初步校准参数;以及加权校准一个或多个初步校准参数,以获得一个或多个最终校准参数,所述加权校准包括:向初步校准参数增加机台差异校准因子F1,其中F1=(基于机台差异的工艺厚度差值)/(基于初步校准参数变化的工艺厚度变化量)。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |