发明名称 一种闪存控制器以及闪存控制方法
摘要 本发明公开了一种闪存控制器以及闪存控制方法,采用事先将闪存控制命令进行分解,将其分解为闪存可以识别的原子操作;并将该原子操作编成微码装载在闪存控制器中。在执行闪存控制命令时,采用查找的方式找到对应的微码,完成命令的执行过程。闪存控制器不需要对每条闪存控制命令进行解析,因此提高了闪存控制命令的执行速度。此外由于采用了RAM来存储闪存操作所需要的控制信号,可以有效减少芯片的使用面积。对于增加新的闪存控制命令时,只需要进行一次命令的分解、编码和装载过程,大大简化了闪存控制器设计的复杂度。
申请公布号 CN102902644B 申请公布日期 2016.02.17
申请号 CN201210367601.7 申请日期 2012.09.28
申请人 忆正科技(武汉)有限公司 发明人 邢冀鹏;陈磊;杨涛
分类号 G06F13/16(2006.01)I 主分类号 G06F13/16(2006.01)I
代理机构 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人 薛祥辉
主权项 一种闪存控制器,其特征在于,所述闪存控制器包括:指令分解模块、指令编码模块和闪存控制单元;所述指令分解模块,用于接收主机的闪存控制命令,并将其分解成原子操作指令;所述指令编码模块,用于将所述原子操作指令编译成微码;所述闪存控制单元,用于将所述微码解析成闪存可以识别的操作信号,并执行所述操作信号;所述指令编码模块还包括存储器单元,所述存储器单元还包括原子操作指令存储器和微码存储器;所述原子操作指令存储器用于存储所述指令分解模块分解后的原子操作指令;所述微码存储器用于存储所述原子操作指令编译后的微码;所述原子操作指令存储器为第一级RAM,所述微码存储器为第二级RAM。
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