| 发明名称 | 石墨烯场效应晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种石墨烯场效应晶体管的制作方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成石墨烯沟道层；在所述石墨烯沟道层的两端形成源端和漏端；去除部分氧化硅层；在所述石墨烯沟道层上形成栅结构。本发明采用缓冲湿法腐蚀处理，去除了与石墨烯沟道层接触的氧化硅层，形成了悬空石墨烯沟道层，减小了SiO<sub>2</sub>薄膜对石墨烯带来的污染，从而可以提高源端和漏端之间石墨烯沟道层载流子迁移率，改善导电性能。本发明实施例还提供一种石墨烯场效应晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN103187283B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201110454051.8 | 申请日期 | 2011.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种石墨烯场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅层；在所述氧化硅层上形成石墨烯沟道层；在所述石墨烯沟道层的两端上形成源端和漏端；去除源端和漏端之间位于所述石墨烯沟道层下方的部分氧化硅层，形成具有间隔的氧化硅层；在源端和漏端之间的所述石墨烯沟道层上形成栅结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||