半导体器件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有光电区和有源区；b)在所述光电区上依次形成至少覆盖所述光电区和所述有源区的第一介电层和第一多晶硅层；c)在所述第一多晶硅层上形成至少一层布线层，并对所述光电区的布线层进行图案化，直至露出所述第一多晶硅层，其中每层所述布线层包括层间介电层和位于所述层间介电层之上的具有互连图案的金属互连层，且所述金属互连层具有对应所述光电区的开口；以及d)对所述光电区的所述第一多晶硅层进行刻蚀，直至露出所述第一介电层。该方法能够保证最终形成在光电区上的介电层的厚度符合要求，提高半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有光电区和有源区；b)在所述光电区上依次形成至少覆盖所述光电区的第一介电层和第一多晶硅层；c)在所述第一多晶硅层上形成至少一层布线层，并对所述光电区的布线层进行图案化，直至露出所述第一多晶硅层，其中每层所述布线层包括层间介电层和位于所述层间介电层之上的具有互连图案的金属互连层，且所述金属互连层具有对应所述光电区的开口；以及d)对所述光电区的所述第一多晶硅层进行刻蚀，直至露出所述第一介电层。