| 发明名称 | 鳍状场效电晶体及其制程 | ||
| 摘要 | 鳍状场效电晶体(FinFET)制程，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成一第一鳍状场效电晶体以及一第二鳍状场效电晶体于基底上，其中第一鳍状场效电晶体包含一第一金属层，而第二鳍状场效电晶体包含一第二金属层。然后，进行一处理制程于第一金属层，俾改变第一鳍状场效电晶体的临限电压。此外，本发明亦提供由此制程形成之鳍状场效电晶体。 | ||
| 申请公布号 | TWI521705 | 申请公布日期 | 2016.02.11 |
| 申请号 | TW101107838 | 申请日期 | 2012.03.08 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林建廷;江文泰 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种鳍状场效电晶体(FinFET)制程，包含有：提供一基底；形成一第一鳍状场效电晶体以及一第二鳍状场效电晶体于该基底上，其中该第一鳍状场效电晶体包含一第一金属层，而该第二鳍状场效电晶体包含一第二金属层，其中该第一金属层以及该第二金属层均包含一阻障层、一功函数金属层、一低电阻率材料或三者之组合；以及进行一处理制程于该第一金属层，俾改变该第一鳍状场效电晶体的临限电压。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||