发明名称 基于三模冗余和DICE的抗辐射加固锁存器
摘要 本发明涉及微电子学中的抗辐射集成电路设计领域,为提供基于TMR和DICE的抗辐射加固锁存器,实现对内部数据的SEU进行防护。为此,本发明采用的技术方案是,基于三模冗余和DICE的抗辐射加固锁存器,输入级由四个表决模块1、2、3、4构成;表决模块1和3接受同相输入信号,表决模块2和4接受反相输入信号;N型晶体管M1、M2、M3和M4由时钟信号CK控制;表决模块1、2、3和4实现对前级输入信号A、B和C及其反相信号的三选一表决;表决模块1和3的导通情况相同,表决模块2和4的导通情况相同,表决模块1和表决模块2的导通情况相反。本发明主要应用于抗辐射集成电路设计。
申请公布号 CN103326711B 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201310240585.X 申请日期 2013.06.17
申请人 天津大学 发明人 姚素英;李渊清;徐江涛;史再峰;高静
分类号 H03K19/0948(2006.01)I 主分类号 H03K19/0948(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 刘国威
主权项 一种基于三模冗余和DICE的抗辐射加固锁存器,其特征是,输入级由四个表决模块1、2、3、4构成;表决模块1和3接受同相输入信号A、B和C,表决模块2和4接受反相输入信号nA、nB和nC;N型晶体管M1、M2、M3和M4由时钟信号CK控制,当CK为高时,外部信号的值写入内部节点I1、I2、I3和I4中;当CK为低时,M1、M2、M3和M4关断,内部节点I1、I2、I3和I4的状态由DICE结构5保持;I1和I3的状态与输入相反,I2和I4的状态与输入相同;I1和I3的电平值经过Guard‑Gate电路6输出到后级;表决模块1、2、3和4实现对前级输入信号A、B和C及其反相信号的三选一表决;表决模块1和3的导通情况相同,表决模块2和4的导通情况相同,表决模块1和表决模块2的导通情况相反;其中,表决模块的结构为:N型晶体管N1的源端与N型晶体管N2的漏端相连,N2的源端接地;N型晶体管N3的漏端与N1的漏端相连,N3的源端与N型晶体管N4和N5的漏端相连,N4和N5的源端接地;输入信号A控制N3的栅端,输入信号B控制N1和N4的栅端,输入信号C控制N2和N5的栅端;N1、N2、N3、N4和N5构成表决模块1,N1的漏端是表决模块1的输出节点;表决模块2、3、4的结构与表决模块1的结构相同,表决模块3中各晶体管的栅极连接至与表决模块1中对应晶体管的栅极;表决模块2和4中各晶体管的栅极连接至与表决模块1中对应晶体管的栅极反相的信号nA、nB、nC。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号