存储单元结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种存储单元结构及其形成方法，其中，该存储单元结构包括一基底、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第一栅极、一第一字线、一阻抗层以及一导电层。第一及第二掺杂区形成在基底之中。第一栅极形成在基底之上，并与第一及第二掺杂区构成一第一晶体管。第一字线电连接第一栅极。第一字线沿一第一方向延伸，再往一第二方向延伸。第一方向不同于该第二方向。阻抗层电连接第一掺杂区。导电层具有一第一源极线以及一位线。第一源极线电连接第二掺杂区。位线电连接阻抗层。本发明提高了晶体管的效率，进而提升了可变电阻式随机存取存储器的良率与效能。

主权项

一种存储单元结构，其特征在于，该存储单元结构包括：一基底；一第一掺杂区，形成在该基底之中；一第二掺杂区，形成在该基底之中；一第一栅极，形成在该基底之上，并与该第一及第二掺杂区构成一第一晶体管；一第一字线，电连接该第一栅极，其中该第一字线沿一第一方向延伸，再往一第二方向延伸，该第一方向不同于该第二方向；一阻抗层，电连接该第一掺杂区；以及一导电层，具有一第一源极线以及一位线，该第一源极线电连接该第二掺杂区，该位线电连接该阻抗层，其中该第一及第二掺杂区沿一第三方向延伸，该第三方向不同于该第一及第二方向。