用于制作嵌入式锗硅的方法

摘要

本发明公开了用于制作嵌入式锗硅的方法。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上形成隔离结构；对衬底进行第一刻蚀，以形成第一区域和第二区域；形成应力调节层；在应力调节层上形成第一半导体层；对第一区域进行选择性第二刻蚀；在第一区域上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第二半导体层；在第一半导体层和第二半导体层上形成栅极和侧墙；选择性去除第二半导体层，仅保留第二半导体层在所述栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对第二半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在第二半导体层的侧壁上形成Σ形状。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成隔离结构；对所述衬底进行第一刻蚀，以形成第一区域和第二区域；形成应力调节层；在所述应力调节层上形成第一半导体层；对所述第一区域进行选择性第二刻蚀；在所述第一区域上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成第二半导体层；在所述第一半导体层和第二半导体层上形成栅极和侧墙；选择性去除所述第二半导体层，仅保留所述第二半导体层在所述栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；对所述第二半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在所述第二半导体层的侧壁上形成Σ形状。