| 发明名称 | 功率半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：第一半导体区域，具有第一导电型；多个第二半导体区域，具有第二导电型，并形成在所述第一半导体区域的上部的内部；第三半导体区域，具有第一导电型，并形成在所述第二半导体区域的上部的内部；第一沟槽，形成在所述第一半导体区域的位于所述多个第二半导体区域之间的至少一部分中，所述第一沟槽穿入到所述第一半导体区域的一部分中，所述第一沟槽包括形成在第一沟槽的表面上的绝缘膜以及填充所述第一沟槽的导电材料；栅极，形成在所述第二半导体区域上。所述栅极和所述第一沟槽彼此电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105322000A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201510309950.7 | 申请日期 | 2015.06.08 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 徐东秀;金智慧;张昌洙;严基宙;宋寅赫 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 马翠平;金光军 |
| 主权项 | 一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一半导体区域，具有第一导电型；多个第二半导体区域，具有第二导电型，并形成在所述第一半导体区域的上部的内部；第三半导体区域，具有第一导电型，并形成在所述第二半导体区域的上部的内部；第一沟槽，形成在所述第一半导体区域的位于所述多个第二半导体区域之间的至少一部分上，所述第一沟槽穿入到所述第一半导体区域的一部分中，所述第一沟槽包括形成在第一沟槽的表面上的绝缘膜以及填充所述第一沟槽的导电材料；栅极，形成在所述第二半导体区域上，其中，所述栅极和所述第一沟槽彼此电连接。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||