发明名称 インジウムドープシリコンウェハおよびそれを用いた太陽電池セル
摘要 チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハから作製された太陽電池セルが提供される。太陽電池セルは、高効率および小さい光誘起劣化により特徴付けられる。
申请公布号 JP2016503964(A) 申请公布日期 2016.02.08
申请号 JP20150550811 申请日期 2013.12.27
申请人 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・ソシエタ・ペル・アチオニMEMC Electronic Materials, SpA 发明人 ジェシー・サムソノフ・アッペル;マーティン・ジェフリー・ビンズ;ロベルト・スカラ;ルイージ・ボナンノ;ステファン・ハリンジェル;アルマンド・ジャンナッタージオ;ヴァレンティーノ・モゼール
分类号 H01L31/0256;C30B29/06 主分类号 H01L31/0256
代理机构 代理人
主权项
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