非挥发性存储器及非挥发性存储器的制造方法

摘要

一种非挥发性存储器和非挥发性存储器制造方法。根据一个实施例的非挥发性存储器可包括：深阱(Deep Well)，其配备在基板上；第1阱，其配备在所述深阱区域内；第2阱，其配备在所述深阱区域内与所述第1阱隔离；第1场效应晶体管（MOSFET），其配备在所述第1阱上；第2场效应晶体管，其配备在所述第2阱上。根据一个实施例的非挥发性存储器的制造方法，可将控制MOSFET的阱区域与相邻的存储单元的控制MOSFET的阱区域共享，或是将隧穿MOSFET的阱区域与相邻的存储单元的隧穿MOSFET的阱区域共享，从而可减少存储单元的面积。

主权项

一种非挥发性存储器，包括：深阱，其配备在基板上；第1阱，其配备在所述深阱区域内；第2阱，其配备在所述深阱区域内与所述第1阱隔离；第1场效应晶体管，其配备在所述第1阱上；和第2场效应晶体管，其配备在所述第2阱上；其中，所述非挥发性存储器，施加所述第1场效应晶体管中对应于数据记录或删除的电压，并施加所述非挥发性存储器中包括的存储单元和所述存储单元相邻的存储单元所共享的所述第2阱区域中为预先设置的电压或0V的电压，并施加所述第2场效应晶体管中预先设置的电压，将没有被选择的存储单元中所包含的第2场效应晶体管的源区域及漏区域控制为0V或浮动，从而进行数据的记录或删除的操作。