| 发明名称 | 一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，该太阳电池发射区采用n型GaInP，其厚度为40~100nm；窗口层采用n型的AlInP或AlGaInP，其厚度为10~50nm；并采用δ掺杂，掺杂面密度为10<sup>11</sup>~10<sup>13</sup>cm<sup>-2</sup>。δ掺杂是在太阳电池的AlInP或AlGaInP窗口层和GaInP发射区的界面附近对窗口层进行δ掺杂。本发明提供的含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，在窗口层与发射区界面处对窗口层进行δ掺杂来增强载流子在太阳电池中的输运。 | ||
| 申请公布号 | CN103594540B | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201310614565.4 | 申请日期 | 2013.11.28 |
| 申请人 | 上海空间电源研究所 | 发明人 | 张建琴;陆宏波;张玮;周大勇;李欣益;孙利杰;陈开建 |
| 分类号 | H01L31/0735(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0735(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 张静洁;贾慧琴 |
| 主权项 | 一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池，其特征在于，该太阳电池的发射区采用n型GaInP，其厚度为40~100nm；窗口层采用n型的AlInP或AlGaInP，其厚度为10~50nm；并采用δ掺杂，掺杂面密度为10<sup>11</sup>~10<sup>13</sup>cm<sup>‑2</sup>，所述的δ掺杂是在太阳电池的AlInP或AlGaInP窗口层和GaInP发射区的界面附近对窗口层进行δ掺杂。 | ||
| 地址 | 200245 上海市闵行区东川路2965号 | ||