用于斜切块状衬底上的外延处理的方法和系统

摘要

本发明提供了一种用于斜切块状衬底上的外延处理的方法和系统。该方法在使用c面表面的Ga面c面(Al、Ga、In)N衬底上设置(Al、Ga、In)N薄膜，所述衬底朝向m方向的斜切大于至少0.35°。在平滑的(Al、Ga、In)N薄膜上形成发光器件。在平滑表面上制造的器件显示改善的性能。本发明还提供了由块状含镓和氮的衬底来制造光学器件的方法。

主权项

一种用于制造器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区域的含镓和氮的衬底，所述表面区域的特征在于：c面晶体取向，<1E8cm^‑2的螺旋位错密度和<1E4cm^‑1的堆垛层错密度，从所述c面朝向[1‑100]方向为至少0.35°且小于1°的斜切角，朝向[11‑20]方向大于‑1°且小于1°的斜切角，在至少2,500μm²表面积上小于1nm的均方根粗糙度；和直接在所述表面区域上形成多个含镓和氮的薄膜，其中所述多个含镓和氮的薄膜中的每一个的特征在于在至少2,500μm²面积上具有小于1nm的均方根粗糙度的表面形态，并且光致发光波长均一性的标准偏差在至少2,500μm²的面积上小于1％；以及形成覆盖所述薄膜的电接触区域。