光半导体装置

摘要

得到一种能够兼顾高速动作和高输出化的光半导体装置。台面条带构造(2)具有依次层叠的n型InP包覆层(3)、活性层(4)、以及p型InP包覆层(5)。埋入层(7)埋入在台面条带构造(2)的两侧。活性层(4)是具有阱层和添加有碳的势垒层的多量子阱构造。埋入层(7)具有依次层叠的p型InP层(10)和Fe掺杂InP层(11)。n型InP包覆层(3)的侧面由p型InP层(10)覆盖，与Fe掺杂InP层(11)不相接。活性层(4)的侧面与p型InP层(10)不相接。

主权项

一种光半导体装置，其特征在于，具备：台面条带构造，其具有依次层叠的n型包覆层、活性层、以及p型包覆层；以及埋入层，其埋入在所述台面条带构造的两侧，所述活性层是具有阱层和添加有碳的势垒层的多量子阱构造，所述埋入层具有依次层叠的p型半导体层、和Fe掺杂或Ru掺杂的高电阻半导体层，所述n型包覆层的侧面由所述p型半导体层覆盖，与所述高电阻半导体层不相接，所述活性层的侧面与所述p型半导体层不相接。