| 发明名称 | 碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在SiC晶片的背面依次形成钛层和镍层。接下来，通过高温热处理对SiC晶片进行加热而将钛层和镍层烧结，形成包含碳化钛的硅化镍层。通过该高温热处理，从而形成SiC晶片与硅化镍层的欧姆接触。其后，形成在硅化镍层上依次层叠有钛层、镍层和金层而成的背面电极层叠体。此时，在形成构成背面电极层叠体的镍层时，在将镍层的厚度记为x[nm]，将镍层的成膜速度记为y[nm/秒]时，以满足0.0＜y＜-0.0013x+2.0的条件形成镍层。由此，能够抑制背面电极剥离。 | ||
| 申请公布号 | CN105308722A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201480028190.6 | 申请日期 | 2014.11.07 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 今井文一;中岛经宏 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 金玉兰;金光军 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：金属层，设置在包含碳化硅的半导体基板上，并形成与所述半导体基板的欧姆接触；以及金属电极层叠体，在所述金属层上至少依次层叠钛层和镍层而成，所述镍层的残余应力为200MPa以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||