| 发明名称 | 一种显示面板、开关管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种显示面板、开关管及其制作方法，其中所述方法中，包括在基底上依次形成所述开关管的第一电极、第一绝缘层、牺牲层以及第二/第三电极金属层，然后对第二/第三电极金属层进行蚀刻以暴露至少部分牺牲层，并对暴露的牺牲层进行蚀刻以暴露部分的第一牺牲层，其中在同等蚀刻条件下所述牺牲层与第一绝缘层的蚀刻选择比大于第一设定值，且所述第一设定值大于1。通过上述方式，本发明能够提高开关管的稳定性和电子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN103236401B | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201310140569.3 | 申请日期 | 2013.04.22 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 江政隆;陈柏林 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人 | 何青瓦 |
| 主权项 | 一种开关管的制作方法，其特征在于，包括：在基底上依次形成所述开关管的第一电极、第一绝缘层、牺牲层以及第二/第三电极金属层；对所述第二/第三电极金属层进行干式蚀刻以暴露至少部分牺牲层，并相应形成所述开关管的第二电极和第三电极，其中在同等蚀刻条件下所述第二/第三电极金属层与所述牺牲层的蚀刻选择比小于第二设定值，且所述第二设定值小于1；对暴露的所述至少部分牺牲层进行干式蚀刻以暴露至少部分所述第一绝缘层，其中在同等蚀刻条件下所述牺牲层与第一绝缘层的蚀刻选择比大于第一设定值，且所述第一设定值大于1；在暴露的所述至少部分第一绝缘层上形成半导体层。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市光明新区公明办事处塘家社区观光路汇业科技园综合楼1第一层B区 | ||