发明名称 | 光谱平坦的热释电探测器用吸收层及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种光谱平坦的热释电探测器用吸收层,按入射辐射的入射顺序依次包括镍铬合金层、镍金属薄膜和铬金属薄膜,本发明还提供一种所述吸收层的制备方法,包括步骤:1)在双面抛光的LiTaO<sub>3</sub>晶片上制作光谱平坦的吸收层,2)清洗LiTaO<sub>3</sub>晶片,在A面光刻图形化;3)在LiTaO<sub>3</sub>晶片A面淀积铬金属薄膜和镍金属薄膜;4)在LiTaO<sub>3</sub>晶片A面光刻图形化;5)在LiTaO<sub>3</sub>晶片A面采用磁控溅射的工艺淀积镍铬合金层,6)在LiTaO<sub>3</sub>晶片A面光刻图形化,形成刻蚀掩模;7)在LiTaO<sub>3</sub>晶片A面采用氩离子刻蚀的工艺刻蚀出电极的形状结构及大小,本发明吸收层具有附着牢固、重复性好、吸收波段宽而平坦、吸收率高、比热容小、传热性能优良等优点,同时吸收层可兼做电极,适合作为热释电探测器的吸收层。 | ||
申请公布号 | CN105300529A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
申请号 | CN201510811187.8 | 申请日期 | 2015.11.19 |
申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 刘子骥;梁志清;于贺;郑兴 |
分类号 | G01J5/12(2006.01)I | 主分类号 | G01J5/12(2006.01)I |
代理机构 | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人 | 敖欢;葛启函 |
主权项 | 一种光谱平坦的热释电探测器用吸收层,其特征在于:按入射辐射的入射顺序,从上至下依次包括镍铬合金层(1)、镍金属薄膜(2)和铬金属薄膜(3),其中:所述的铬镍合金层(1)厚度为7.5nm‑8.5nm,方块电阻为9.5Ω/□‑10.0Ω/□;所述的镍金属薄膜(2)膜厚为8nm‑10nm;所述的铬金属薄膜(3)膜厚为8nm‑10nm。 | ||
地址 | 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |