用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法

摘要

本发明提供一种用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上提供有经蚀刻而具有第一沟槽的低介电常数材料层；以及使用Ar和He中的至少一种作为蚀刻气体执行第一蚀刻后处理，以使所述低介电常数材料层的表面致密化。该方法能够修复并减少低k介电层中的损伤（例如C耗尽层），以提高低k介电层对潮湿环境等的耐受能力，进而改善半导体器件的整体电学性能。此外，该方法还可以与传统CMOS制造工艺兼容，以降低制造成本。

主权项

一种用于对低介电常数材料层进行蚀刻后处理的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上提供有经蚀刻而具有第一沟槽的低介电常数材料层；以及使用Ar和He中的至少一种作为蚀刻气体执行第一蚀刻后处理，以使所述低介电常数材料层的表面致密化；在执行所述第一蚀刻后处理之后还包括：对所述低介电常数材料层进行蚀刻，以在所述低介电常数材料层的第一沟槽中形成第二沟槽的至少一部分；其中，所述第一蚀刻后处理和形成所述第二沟槽的至少一部分的步骤循环进行，直至形成完整的所述第二沟槽为止。